BDX33C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BDX33C |
| 参数属性 | BDX33C 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 10A TO220 |
| 功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
35.88 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
| 人工找货 | BDX33C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BDX33C规格书详情
BDX33C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由意法半导体集团制造生产的BDX33C晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
DESCRIPTION
The BDX33B and BDX33C are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are intented for use in power linear and switching applications.
The complementary PNP types are BDX34B and BDX34C respectively.
产品属性
更多- 产品编号：
BDX33C
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 6mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 3A，3V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 10A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220 |
942 |
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询价 | ||
ST/意法 |
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NA/ |
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ON |
23+ |
TO-220 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
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ST(意法半导体) |
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500000 |
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ST |
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TO220 |
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