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BDV64B	文件：109.72 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS 文件：109.72 Kbytes 页数：5 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS
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BDV64B	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS 文件：2.43533 Mbytes 页数：31 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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BDV64B	文件：300 bytes Page：1 Pages	10 A，100 V PNP 达林顿双极功率晶体管 The 10 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor is for use as an output devices in complementary general purpose amplifier applications. The BDV65B (NPN) and BDV64B (PNP) are complementary devices. • High DC Current Gain HFE = 1000 (min.) @ 5 Adc\n• Monolithic Construction with Built-in Base Emitter Shunt Resistors\n• These devices are available in Pb-free package(s). Specifications herein apply to both standard and Pb-free devices. Please see our website at www.onsemi.com for specific Pb-free;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BDV64B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-218-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 12A TO218	CENTRAL	CENTRAL

晶体管资料

型号：
BDV64B
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
12A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDV66B,BDW84C,
最大耗散功率：
125W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-62
vtest：
100
htest：
999900
atest：
12
wtest：
125

产品属性

产品编号：
BDV64B
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
频率 - 跃迁：
60MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-218-3
供应商器件封装：
TO-218
描述：
TRANS PNP 100V 12A TO218

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