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BDT65B	文件：122.39 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector Current -IC= 12A ·High DC Current Gain-hFE= 1000(Min)@ IC= 5A ·Complement to Type BDT64/A/B/C APPLICATIONS ·Designed for audio output stages and general purpose amplifier applications 文件：122.39 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDT65B	文件：111.34 Kbytes Page：5 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and analogue switching application. PNP complements are BDT64-A-B-C Compliance to RoHS. 文件：111.34 Kbytes 页数：5 Pages	COMSET	COMSET
BDT65B	文件：212.9 Kbytes Page：8 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：212.9 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BDT65B	文件：137.96 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：137.96 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDT65BF	文件：114.57 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current -IC= 12A • High DC Current Gain-hFE= 1000(Min)@ IC= 5A • Complement to Type BDT64F/AF/BF/CF APPLICATIONS • Designed for audio output stages and general purpose amplifier applications 文件：114.57 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDT65BF	文件：135.8 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：135.8 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDT65B	文件：300 bytes Page：1 Pages	BJT 双极性三极管	SPTECH 质超微	SPTECH
BDT65B	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Comset	Comset

晶体管资料

型号：
BDT65B
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
12A
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BDV65B,BDW42,BDW93C,BDX65B,BDX87C,2N6059,
最大耗散功率：
125W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-89
vtest：
100
htest：
10000100
atest：
12
wtest：
125

技术参数

IC(A)：
12
Vcbo(V)：
100
Vceo(V)：
100
HFE：
1K-
封装：
TO-220
备注：
NPN/Darlington

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