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BDT63B	文件：136.44 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：136.44 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDT63C	文件：136.44 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：136.44 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDT63C	文件：268.59 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：268.59 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDT63	文件：300 bytes Page：1 Pages	Darlington BJT	NJS 新泽西半导体	NJS
BDT63	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Comset	Comset
BDT63B	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Comset	Comset

晶体管资料

型号：
BDT63F
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
LSO
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDT65F,2SD1827,2SD1793,2SD1591,
最大耗散功率：
>17W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-45
vtest：
60
htest：
999900
atest：
10
wtest：
17.0001

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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