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BDS20

SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES

文件:20.43 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

BDS20_09

SILICON EPIBASE NPN DARLINGTON TRANSISTOR

文件:803.14 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

BDS20SMD

SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES

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SEME-LAB

BDS21

SILICON EPIBASE PNP DARLINGTON TRANSISTOR

文件:803.14 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

BDS21

SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES

文件:20.43 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

BDS210

Disconnect Switch

文件:85.3 Kbytes 页数:2 Pages

COOPER

BDS21SMD

SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES

文件:20.43 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

BDS21SMD

SILICON EPIBASE PNP DARLINGTON TRANSISTOR

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SEME-LAB

BDS28A

COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON

文件:104.14 Kbytes 页数:3 Pages

SEME-LAB

BDS28B

COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON

文件:104.14 Kbytes 页数:3 Pages

SEME-LAB

晶体管资料

  • 型号:

    BDS10

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    15A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    90W

  • 放大倍数:

    β=250

  • 图片代号:

    B-45

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    15

  • wtest:

    90

技术参数

  • 精度:

    ±20%

  • 额定电压:

    160V

  • 电容体直径:

    12.5mm

  • 电容体长度:

    13.5mm

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NA
2450+
DFN10
6540
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品
询价
24+
TO-3PML
10000
全新
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ENRWEY
13+
2699
原装分销
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SML
23+
TO-220
5000
原装正品,假一罚十
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05+
原厂原装
951
只做全新原装真实现货供应
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TDK
1215+
SMD
150000
全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.
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6200
100%原装正品现货
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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FERROXCUBE
16+
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8800
原装现货,货真价优
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24+
SMD
5000
只做原装公司现货
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更多BDS供应商 更新时间2026-1-19 17:25:00