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BDS19	文件：521.89 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR FEATURES • HERMETIC METAL OR CERAMIC PACKAGES • HIGH RELIABILITY • MILITARY AND SPACE OPTIONS • SCREENING TO CECC LEVELS • FULLY ISOLATED (METAL VERSION) APPLICATIONS • POWER LINEAR AND SWITCHING APPLICATIONS • GENERAL PURPOSE POWER 文件：521.89 Kbytes 页数：3 Pages	TTELEC	TTELEC
BDS19	文件：195.82 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor 文件：195.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDS19	文件：69.52 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES 文件：69.52 Kbytes 页数：3 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BDS19	文件：521.89 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR 文件：521.89 Kbytes 页数：3 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BDS19SMD	文件：69.52 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES 文件：69.52 Kbytes 页数：3 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BDS19SMD05	文件：348.72 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR 文件：348.72 Kbytes 页数：3 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BDS19	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB	NJS 新泽西半导体	NJS
BDS19	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Junction Transistors	TT Electronics	TT Electronics
BDS19SMD05	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Junction Transistors	TT Electronics	TT Electronics

晶体管资料

型号：
BDS19
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
90W
放大倍数：
β=250
图片代号：
B-45
vtest：
150
htest：
999900
atest：
15
wtest：
90

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
150V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.4@0.05A@0.5A1.5@0.4A@4A
Maximum Collector Emitter Voltage：
150V
Maximum DC Collector Current：
8A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Power Dissipation：
43750mW
Maximum Transition Frequency：
30(Min)MHz
Type：
PNP

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