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BDFN1C051VB	文件：300 bytes Page：1 Pages	静电抑制二极管	BORNSEMI 伯恩斯	BORNSEMI
BDFN1C051R	文件：2.13805 Mbytes Page：4 Pages	1-Line Ultra Low Capacitance Bi-directional TVS Diode Features Ultra small package: 0.6x0.3x0.3mm Ultra low capacitance: 0.25pF typical Ultra low leakage: nA level Low operating voltage: 5V Low clamping voltage 2-pin leadless package Complies with following standards: – IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±20kV Contact discharg 文件：2.13805 Mbytes 页数：4 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
BDFN2010A054R	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN2010-5L	BORN 伯恩半导体上传：深圳市鼎欣微电子有限公司	BORN
BDW93CTU	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	ON 上传：深圳市芯立阳电子技术有限公司	ON
BDX33C其他被动元件	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	ST/意法上传：深圳庞田科技有限公司	ST/意法

技术参数

Vbr.min(V)：
6.5
Cj.max(PF)：
23
Ppp(W)@8/20µS：
100
Ipp(A)@8/20µS：
8
Ir.max(µA)：
0.1
ESD Contact(kv)：
30
Package：
DFN0603

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市星辰微电科技有限公司	BDFN1C051VB	BORN	22+	DFN0603	25000	伯恩全系列在售	询价
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更多BDFN1C051VB供应商更新时间2025-12-14 14:02:00

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