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BDFN1C051R	文件：2.13805 Mbytes Page：4 Pages	丝印：ZZ；Package：DFN0603；1-Line Ultra Low Capacitance Bi-directional TVS Diode Features Ultra small package: 0.6x0.3x0.3mm Ultra low capacitance: 0.25pF typical Ultra low leakage: nA level Low operating voltage: 5V Low clamping voltage 2-pin leadless package Complies with following standards: – IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±20kV Contact discharg 文件：2.13805 Mbytes 页数：4 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
BDFN1C051R	文件：300 bytes Page：1 Pages	静电抑制二极管	BORNSEMI 伯恩斯	BORNSEMI
BDFN1C051RF2	文件：300 bytes Page：1 Pages	SIC Schottky Barrier Diode	BORNSEMI 伯恩斯	BORNSEMI
BDFN2010A054R	文件：0 bytes Page：0 Pages	BORN DFN2010-5L	BORN 伯恩半导体上传：深圳市鼎欣微电子有限公司	BORN
BDW93CTU	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON TO-220	ON 上传：深圳市芯立阳电子技术有限公司	ON

技术参数

Vbr.min(V)：
6
Cj.max(PF)：
0.23
Ppp(W)@8/20µS：
30
Ipp(A)@8/20µS：
3
Ir.max(µA)：
11
ESD Contact(kv)：
8
Package：
DFN0603-2L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BDFN1C051R供应商更新时间2025-10-14 10:04:00

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