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BD935F

Silicon NPN Power Transistor

文件:131.67 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BD935F

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:112.62 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BD9351MWV

Silicon Monolithic Integrated Circuit

ROHM

罗姆

BD9352GUL

Silicon Monolithic Integrated Circuit

ROHM

罗姆

BD9355MWV-BZE2

Package:36-VFQFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:集成电路(IC) 特殊用途稳压器 描述:IC REG DGTL CAM 7OUT 36UQFN

ROHM

罗姆

BD9355MWV-E2

包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 特殊用途稳压器 描述:IC REG DGTL CAM 7OUT 36UQFN

ROHM

罗姆

晶体管资料

  • 型号:

    BD935

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD241A,BD539A,3DD62C,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    30

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Material:

    Si

  • Maximum Collector Base Voltage:

    60V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.6@0.1A@1AV

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    60V

  • Maximum DC Collector Current:

    3A

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum Operating Temperature:

    150ᄀC

  • Maximum Power Dissipation:

    30000mW

  • Maximum Transition Frequency:

    3(Min)MHz

  • Type:

    NPN

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更多BD935供应商 更新时间2026-4-17 16:01:00