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BD935F	文件：289.7 Kbytes Page：6 Pages	SILICON EPITAXIAL BASE POWER TRANSISTORS 文件：289.7 Kbytes 页数：6 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BD935F	文件：112.62 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：112.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD935F	文件：131.67 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：131.67 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD935F	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 60V 3A	NJS	NJS

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.6@0.1A@1AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum DC Collector Current：
3A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
Maximum Power Dissipation：
19000mW
Maximum Transition Frequency：
3(Min)MHz
Type：
NPN

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