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|---|---|---|---|---|
BD841 | isc Silicon NPN Power Transistor 文件：276.61 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
文件：146.97 Kbytes 页数：2 Pages | MOTOROLA 摩托罗拉 | MOTOROLA | ||
N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES • Lower RDS(ON) • Improved inductive ruggedness • Fast switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Lower input capacitance • Extended safe operation area • Improved high temperature reliability 文件：272.29 Kbytes 页数：5 Pages | SAMSUNG 三星 | SAMSUNG | ||
PIN PHOTODIODE Description Large area planar silicon photodiode mounted on a two lead PC board substrate. A clear molded lens is used to increase sensitivity. Low junction capacitance permits fast response time. Features • High photo sensitivity • Low junction capacitance • High cut-off frequency • Fast sw 文件：30.63 Kbytes 页数：2 Pages | UOT 东贝光电 | UOT |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
1.5A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD137,BD827,3DA11B,
- 最大耗散功率：
10W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-84
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
1.5
- wtest：
10
技术参数
- 功能描述：
TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
23+ |
TO-252-5 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ROHM |
23+ |
TO263-5 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
24+ |
TO-252-5 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
2450+ |
SOT252-5 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
26+ |
TO263-5 |
43600 |
全新原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
PHI |
24+ |
4000 |
询价 | ||||
ISC/固电 |
23+ |
TO-202 |
23000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
PHI |
05+ |
原厂原装 |
551 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
PANJIT |
TO-252 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
PANJIT |
25+23+ |
TO-252(DP |
23239 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 |
