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BD787 | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON Complementary Plastic Silicon Power Transistors These devices are designed for lower power audio amplifier and low current, high−speed switching applications. Features • Low Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus)60 Vdc (Min) • High Current−Gain − Bandwidth Product fT= 文件：148.19 Kbytes 页数：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
BD787 | Complementary Plastic Silicon Power Transistors BD787 -> NPN BD788 -> PNP 4 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS 15 WATTS . . . designedfor lower power audio amplifier and lowcurrent, high–speed switching applications. • Low Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus)60 Vdc (Min) — BD787, BD78 文件：148.19 Kbytes 页数：6 Pages | Motorola 摩托罗拉 | Motorola | |
BD787 | isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 40~250(Min)@ IC= 0.2A • Collector-Emitter Sustaining Voltage - : VCEO(SUS)= 60V(Min) • Complement to type BD788 APPLICATIONS • Designed for low power audio amplifier and low current, high-speed switching applications. 文件：249.65 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
BD787 | COMPLEMENTARY PLASTIC SILICON ANNULAR POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY PLASTIC SILICON ANNULAR* POWER TRANSISTORS 4 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 45, 6O VOLTS 15 WATTS 文件：105.89 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
BD787 | Complementary Plastic Silicon Power Transistors 文件：78.93 Kbytes 页数：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
BD787 | Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 60V 4A TO126 | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
Complementary Plastic Silicon Power Transistors Complementary Plastic Silicon Power Transistors These devices are designed for lower power audio amplifier and low current, high−speed switching applications. Features • Low Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus)60 Vdc (Min) • High Current−Gain − Bandwidth Product fT= 文件：106.84 Kbytes 页数：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Complementary Plastic Silicon Power Transistors 文件：78.93 Kbytes 页数：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Complementary Plastic Silicon Power Transistors 文件：78.93 Kbytes 页数：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 60V 4A TO126 | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
4A
- 最大工作频率：
>50MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD189,BD199,BDX35,BDX36,BDX37,MJE240,MJE241,MJE242,MJE243,MJE244,3DA98B,
- 最大耗散功率：
15W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-21
- vtest：
80
- htest：
50000100
- atest：
4
- wtest：
15
产品属性
- 产品编号：
BD787
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 800mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 200mA，3V
- 频率 - 跃迁：
50MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126
- 描述：
TRANS NPN 60V 4A TO126
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
CASE77 |
6000 |
询价 | |||
ON |
16+ |
T0-126 |
10000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
TO-126 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
HITACHI |
22+ |
TO-126 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
25+ |
25 |
公司优势库存 热卖中! |
询价 | ||||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
23+ |
TO225 |
8500 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
MOT |
98+ |
TO225 |
1480 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-225AA |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
4020 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
47000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |
