BD787中文资料4.0 A，60 V，NPN 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BD787三极管、BD787晶体管、BD787晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
4A
- 最大工作频率：
>50MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD189,BD199,BDX35,BDX36,BDX37,MJE240,MJE241,MJE242,MJE243,MJE244,3DA98B,
- 最大耗散功率：
15W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-21
- vtest：
80
- htest：
50000100
- atest：
4
- wtest：
15
BD787规格书详情
描述 Description
The 4 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor is designed for lower power audio amplifier and low current, high speed switching applications. The BD787 and BD788 are complementary devices.
特性 Features
• Low Collector-Emitter Sustaining VoltageVCEO(sus) 60 Vdc (Min)BD787, BD788
• Collector-Emitter Saturation Voltage Specified at 0.5, 1.0, 2.0 and 4.0 Adc
• Pb-Free Packages are Available
简介
BD787属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ONSEMI制造生产的BD787晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BD787
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：0.4
- IC Cont. (A)
：4
- VCEO Min (V)
：60
- VCBO (V)
：80
- VEBO (V)
：6
- VBE(sat) (V)
：2
- VBE(on) (V)
：1.8
- hFE Min
：40
- hFE Max
：250
- fT Min (MHz)
：50
- PTM Max (W)
：15
- Package Type
：TO-225-3
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