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BD680A	文件：55.2 Kbytes Page：3 Pages	PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS For Use As Output Devices In Complementary General Purpose Amplifier Applications. COMPLEMENTARY TO BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 & 683 BD678, 678A, 680, 680A ARE EQUIVALENT TO MJE700, 702, 703. 文件：55.2 Kbytes 页数：3 Pages	TEL	TEL
BD680AG	文件：59.19 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium?뭁ower Silicon PNP Darlingtons Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons This series of plastic, medium−power silicon PNP Darlington transistors can be used as output devices in complementary general−purpose amplifier applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc • Monolithic Cons 文件：59.19 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD680CS	文件：123.03 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS Voltage 40~200 V Current 6 A Features ● Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O. ● For surface mounted applications in order to optimize board space ● Low power loss, High efficiency ● High surge capacity ● High temperature soldering guaranteed:260oC 文件：123.03 Kbytes 页数：3 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BD680CT	文件：46.68 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O • For surface mounted applications • Low profile package • Built-in strain relief • Low power loss, High efficiency • High surge capacity • F 文件：46.68 Kbytes 页数：2 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BD680G	文件：59.19 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium?뭁ower Silicon PNP Darlingtons Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons This series of plastic, medium−power silicon PNP Darlington transistors can be used as output devices in complementary general−purpose amplifier applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc • Monolithic Cons 文件：59.19 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD680_15	文件：33.19 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Transistors 文件：33.19 Kbytes 页数：1 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BD680_2015	文件：33.19 Kbytes Page：1 Pages	Silicon PNP Transistors 文件：33.19 Kbytes 页数：1 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BD680A	文件：153 Kbytes Page：6 Pages	Medium Power Linear and Switching 文件：153 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD680A	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS 文件：2.43533 Mbytes 页数：31 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BD680A	文件：252.33 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 文件：252.33 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
BD680(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD262A,BD780,FC50C,2N6036,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-21
vtest：
80
htest：
10000100
atest：
4
wtest：
40

产品属性

产品编号：
BD680
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 30mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 1.5A，3V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP DARL 80V 4A TO126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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