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BD677AG	文件：60.93 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium?뭁ower Silicon NPN Darlingtons This series of plastic, medium−power silicon NPN Darlington transistors can be used as output devices in complementary general−purpose amplifier applications. Features • High DC Current Gain: hFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc • Monolithic Construction • BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 文件：60.93 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD677G	文件：60.93 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium?뭁ower Silicon NPN Darlingtons This series of plastic, medium−power silicon NPN Darlington transistors can be used as output devices in complementary general−purpose amplifier applications. Features • High DC Current Gain: hFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc • Monolithic Construction • BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 文件：60.93 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD677_03	文件：252.33 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 文件：252.33 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD677A	文件：252.33 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 文件：252.33 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD677A	文件：230.99 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：230.99 Kbytes 页数：3 Pages	FS	FS
BD677A	文件：44.93 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications 文件：44.93 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD677A	文件：230.32 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications 文件：230.32 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD677A	文件：230.32 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：230.32 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD677A	文件：109.23 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium?좵ower Silicon NPN Darlingtons 文件：109.23 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD677A	文件：332.11 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR 文件：332.11 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL

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晶体管资料

型号：
BD677(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD263,BD777,FD50B,2N6038,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-21
vtest：
60
htest：
10000100
atest：
4
wtest：
40

产品属性

产品编号：
BD677
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 30mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 1.5A，3V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN DARL 60V 4A TO126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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