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BF550	文件：41.57 Kbytes Page：8 Pages	PNPmediumfrequencytransistor DESCRIPTION PNPmediumfrequencytransistorinaSOT23plasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.25mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Mediumfrequencyapplicationsinthickandthinfilmcircuits.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF550	文件：36.03 Kbytes Page：1 Pages	PNPMediumFrequencyTransistor Features ●Lowcurrent(max.25mA). ●Lowvoltage(max.40V).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BF550	文件：273.07 Kbytes Page：7 Pages	nullPNPmediumfrequencytransistor FEATURES •Lowcurrent(max.25mA) •Lowvoltage(max.40V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BFU550X	文件：232.24 Kbytes Page：2 Pages	NPNWidebandSiliconRFTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=10V(Min.) ·LowNoise,HighBreakdownRFTransistor APPLICATIONS ·ApplicationsRequiringHighSupplyVoltagesAndHighBreakdownVoltages ·LowNoiseAmplifiersForISMApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BLP-550	文件：194.01 Kbytes Page：1 Pages	LowPassFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
BLP-550+	文件：194.01 Kbytes Page：1 Pages	LowPassFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
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BPR550F	文件：1.21301 Mbytes Page：2 Pages	3Wto50WPLANARSHOCK/VIBRATIONPROOFHIGHPOWERRESISTORS Features………………………………………………………… ◾Non-Inductiveplanarpackage ◾Highpowerdensity. ◾ThinpackageforhighdensityPCBinstallation. ◾Powerdissipatedabovetheboard. ◾RoHScompliant. ◾Superiorvibrationdurability Applications……………………………………………………… ◾Idealforextrememechanicallyst	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司	BITECH
BPR550G	文件：1.21301 Mbytes Page：2 Pages	3Wto50WPLANARSHOCK/VIBRATIONPROOFHIGHPOWERRESISTORS Features………………………………………………………… ◾Non-Inductiveplanarpackage ◾Highpowerdensity. ◾ThinpackageforhighdensityPCBinstallation. ◾Powerdissipatedabovetheboard. ◾RoHScompliant. ◾Superiorvibrationdurability Applications……………………………………………………… ◾Idealforextrememechanicallyst	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司	BITECH

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