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BD501	文件：109.89 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage-: VCEO(SUS)= 50V(Min) 80V(Min) ·High Power Dissipation APPLICATIONS ·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary 文件：109.89 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD501	文件：128.02 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：128.02 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD501	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 50V 10A	NJS 新泽西半导体	NJS
BD501B	文件：109.89 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage-: VCEO(SUS)= 50V(Min) 80V(Min) ·High Power Dissipation APPLICATIONS ·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary 文件：109.89 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD501B	文件：128.02 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：128.02 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD501N	文件：245.62 Kbytes Page：2 Pages	50 AMP BLOCK DIODES 文件：245.62 Kbytes 页数：2 Pages	SHUNYE 顺烨电子	SHUNYE
BD501P	文件：245.62 Kbytes Page：2 Pages	50 AMP BLOCK DIODES 文件：245.62 Kbytes 页数：2 Pages	SHUNYE 顺烨电子	SHUNYE

晶体管资料

型号：
BD501(A,B)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD809,
最大耗散功率：
75W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
999900
atest：
10
wtest：
75

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
55V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@0.5A@5AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
50V
Maximum DC Collector Current：
10A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
Maximum Power Dissipation：
75000mW
Maximum Transition Frequency：
8(Typ)MHz
Type：
NPN

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