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BD501B

isc Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage-: VCEO(SUS)= 50V(Min) 80V(Min) ·High Power Dissipation APPLICATIONS ·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary

文件:109.89 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BD501B

Silicon NPN Power Transistors

文件:128.02 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

CLC501

High-Speed Output Clamping Op Amp

文件:403.11 Kbytes 页数:6 Pages

NSC

国半

CLC501AJE

High-Speed Output Clamping Op Amp

文件:403.11 Kbytes 页数:6 Pages

NSC

国半

HER501

HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(5.0A,50-400V)

文件:125.41 Kbytes 页数:2 Pages

MOSPEC

统懋

技术参数

  • 功能描述:

    TRANSISTOR

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全新
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更多BD501B供应商 更新时间2026-4-21 10:21:00