BD442分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BD442 |
| 参数属性 | BD442 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 80V 4A TO126 |
| 功能描述 | POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 文件大小 |
111.37 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-28 23:00:00 |
| 人工找货 | BD442价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BD442三极管、BD442晶体管、BD442晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
4A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD190,BD200,CD50B,
- 最大耗散功率：
36W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-21
- vtest：
80
- htest：
100000100
- atest：
4
- wtest：
36
BD442规格书详情
BD442属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的BD442晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
4.0 AMP POWER TRANSISTORS PNP SILICON
This series of plastic, medium−power silicon PNP transistors can be used for for amplifier and switching applications. Complementary types are BD437 and BD441.
特性 Features
• Pb−Free Packages are Available*
产品属性
更多- 产品编号：
BD442
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 300mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 500mA，1V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126
- 描述：
TRANS PNP 80V 4A TO126
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
TO-126 |
18798 |
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询价 | ||
onsemi |
25+ |
TO-126 |
18798 |
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询价 | ||
MOT |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
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ONS |
23+ |
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