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BD436	文件：1.27676 Mbytes Page：4 Pages	丝印：BD436；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Amplifier and Switching Applications Complement To BD433, BD435 And BD437 文件：1.27676 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
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BD436	文件：48.47 Kbytes Page：5 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications Applications • Complement to BD433, BD435 and BD437 respectively 文件：48.47 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD436	文件：70.36 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications 文件：70.36 Kbytes 页数：3 Pages	TEL 东电电子	TEL
BD436	文件：103.16 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type BD433/435/437 APPLICATIONS ·For medium power linear and switching applications 文件：103.16 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD436	文件：64.019 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor 4.0 AMP POWER TRANSISTORS PNP SILICON This series of plastic, medium−power silicon PNP transistors can be used for for amplifier and switching applications. Complementary types are BD437 and BD441. Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：64.019 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD436	文件：131.52 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type BD433/435/437 APPLICATIONS ·For medium power linear and switching applications 文件：131.52 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD436	文件：271.85 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Power Transistors Features • Intended for use in medium power near and switching applications • With TO-126 package • The complementary NPN type is BD433, BD435, BD437 • Marking: Type Number • Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy me 文件：271.85 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC

详细参数

型号：
BD436
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Medium Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BD436供应商更新时间2025-9-14 14:03:00

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