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BD435中文资料Medium Power NPN Bipolar Power Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

BD435

参数属性

BD435 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 32V 4A TO126

功能描述

Medium Power NPN Bipolar Power Transistor
TRANS NPN 32V 4A TO126

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2026-1-24 23:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BD435(A-C)(-10...-25)

  • 别名:

    BD435三极管、BD435晶体管、BD435晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    32V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD185,BD195,3DD62A,

  • 最大耗散功率:

    36W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    32

  • htest:

    100000100

  • atest:

    4

  • wtest:

    36

BD435规格书详情

描述 Description

This series of plastic, medium-powerNPN transistors can be used for amplifier and switching applications.

特性 Features

• Pb-Free Packages are Available
• Complementary Types are BD438 and BD442

简介

BD435属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ONSEMI制造生产的BD435晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BD435

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.5

  • IC Cont. (A)

    :4

  • VCEO Min (V)

    :32

  • VCBO (V)

    :32

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :1.1

  • hFE Min

    :85

  • hFE Max

    :475

  • fT Min (MHz)

    :3

  • PTM Max (W)

    :36

  • Package Type

    :TO-225-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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