BD435中文资料Medium Power NPN Bipolar Power Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
BD435 |
| 参数属性 | BD435 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 32V 4A TO126 |
| 功能描述 | Medium Power NPN Bipolar Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-25 14:30:00 |
| 人工找货 | BD435价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BD435三极管、BD435晶体管、BD435晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
32V
- 最大电流允许值：
4A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD185,BD195,3DD62A,
- 最大耗散功率：
36W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-21
- vtest：
32
- htest：
100000100
- atest：
4
- wtest：
36
BD435规格书详情
描述 Description
This series of plastic, medium-powerNPN transistors can be used for amplifier and switching applications.
特性 Features
• Pb-Free Packages are Available
• Complementary Types are BD438 and BD442
简介
BD435属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ONSEMI制造生产的BD435晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BD435
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：0.5
- IC Cont. (A)
：4
- VCEO Min (V)
：32
- VCBO (V)
：32
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：1.1
- hFE Min
：85
- hFE Max
：475
- fT Min (MHz)
：3
- PTM Max (W)
：36
- Package Type
：TO-225-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
24+ |
1400 |
询价 | ||||
FSC |
1922+ |
TO-126 |
6896 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
询价 | ||
STM |
24+ |
原厂原封 |
30550 |
只做原装 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SOT-32 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-126 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-126 |
45000 |
ONSEMI/安森美全新现货BD435即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
询价 | ||
STM |
08+/09+ |
28500 |
SOT-32-3 (TO-126-3) |
询价 | |||
FAIRCHILD |
23+ |
253 |
询价 | ||||
恩XP |
22+ |
TO-126 |
10038 |
进口原装 |
询价 | ||
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 |
