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HCS373MS	文件：183.96 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Description TheIntersilHCS373MSisaRadiationHardenedoctaltransparentthree-statelatchwithanactive-lowoutputenable.TheHCS373MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnology.T Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HCS373MS	文件：547.51 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCS373T	文件：95.83 Kbytes Page：3 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Intersil’sSatelliteApplicationsFlowTM(SAF)devicesarefullytestedandguaranteedto100kRADtotaldose.TheseQMLClassTdevicesareprocessedtoastandardflowintendedtomeetthecostandshorterlead-timeneedsoflargevolumesatellitemanufacturers,whilemaintainingahighlevelof	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HCT373	文件：52.61 Kbytes Page：5 Pages	Octal3-StateNoninvertingTransparentLatch(High-PerformanceSilicon-GateCMOS) Octal3-StateNoninvertingTransparentLatchHigh-PerformanceSilicon-GateCMOS TheSL74HCT373maybeusedasalevelconverterforinterfacingTTLorNMOSoutputstoHigh-SpeedCMOSinputs. TheSL74HCT373isidenticalinpinouttotheLS/ALS373. TheeightlatchesoftheSL74HCT373aretranspar	SLS System Logic Semiconductor	SLS
HCT-373	文件：4.15399 Mbytes Page：2 Pages	HighCurrentToroidalInductors	API API Delevan	API
HCT373M	文件：1.27669 Mbytes Page：20 Pages	OCTALTRANSPARENTD-TYPELATCHES	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
HCTR-373	文件：4.15399 Mbytes Page：2 Pages	HighCurrentToroidalInductors	API API Delevan	API
HCTS373D	文件：277.4 Kbytes Page：11 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Description TheIntersilHCTS373MSisaRadiationHardenedoctaltransparentthree-statelatchwithanactive-lowoutputenable.TheoutputsaretransparenttotheinputswhentheLatchEnable(LE)isHIGH.WhentheLatchEnable(LE)goesLOW,thedataislatched.TheOutputEnable(OE)controls	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HCTS373D	文件：553.61 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCTS373DMSR	文件：277.4 Kbytes Page：11 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Description TheIntersilHCTS373MSisaRadiationHardenedoctaltransparentthree-statelatchwithanactive-lowoutputenable.TheoutputsaretransparenttotheinputswhentheLatchEnable(LE)isHIGH.WhentheLatchEnable(LE)goesLOW,thedataislatched.TheOutputEnable(OE)controls	Intersil Intersil Corporation	Intersil

晶体管资料

型号：
BD373A...D
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_TR_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
2.5W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
45
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
2.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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