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BD311	文件：103.37 Kbytes Page：3 Pages	10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS 10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 VOLTS 115 WATTS 文件：103.37 Kbytes 页数：3 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BD311	文件：129.58 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High DC current gain ·Excellent safe operating area ·Complement to type BD312 APPLICATIONS ·Designed for power amplifier applications 文件：129.58 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD311	文件：109.86 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High DC current gain ·Excellent safe operating area ·Complement to type BD312 APPLICATIONS ·Designed for power amplifier applications 文件：109.86 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD311NPN	文件：103.37 Kbytes Page：3 Pages	10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS 10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 VOLTS 115 WATTS 文件：103.37 Kbytes 页数：3 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BD312	文件：129.72 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High DC current gain • Excellent safe operating area • Complement to type BD311 APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications 文件：129.72 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD312	文件：130.949 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • DC Current Gain-hFE= 25(Min.)@lc = -5A • Collector-Emitter Saturation Voltage- :VCE(sat)=-1.0V(Max)@lc = -5A • Complement to Type BD311 APPLICATIONS • Designed for high quality amplifiers operating up to 60 watts into 4 ohm load. 文件：130.949 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD312	文件：103.37 Kbytes Page：3 Pages	10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS 10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 VOLTS 115 WATTS 文件：103.37 Kbytes 页数：3 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BD312	文件：109.9 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High DC current gain • Excellent safe operating area • Complement to type BD311 APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications 文件：109.9 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD312PNP	文件：103.37 Kbytes Page：3 Pages	10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS 10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 VOLTS 115 WATTS 文件：103.37 Kbytes 页数：3 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BD313	文件：215.53 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·DC Current Gain-hFE= 25(Min.)@IC= 4A ·Collector-Emitter Saturation Voltage-: VCE(sat)= 1.0 V(Max)@ IC= 5A ·Complement to Type BD314 APPLICATIONS ·Designed for high quality amplifiers operating up to 文件：215.53 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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产品属性

产品编号：
SMAJ78A
制造商：
Littelfuse Inc.
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
SMAJ
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
78V
电压 - 击穿（最小值）：
86.7V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
126V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
3.2A
功率 - 峰值脉冲：
400W
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AC，SMA
供应商器件封装：
DO-214AC（SMA）
描述：
TVS DIODE 78VWM 126VC DO214AC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BD3供应商更新时间2025-12-26 9:05:00

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