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BD318	文件：129.77 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High DC current gain ·Excellent safe operating area ·Complement to type BD317 APPLICATIONS ·Designed for high power amplifiers 文件：129.77 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD318	文件：110.27 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION · With TO-3 package · High DC current gain · Excellent safe operating area · Complement to type BD317 APPLICATIONS · Designed for high power amplifiers 文件：110.27 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD329	文件：87.01 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR 文件：87.01 Kbytes 页数：3 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BD329	文件：85.23 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 文件：85.23 Kbytes 页数：3 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BD329	文件：246.16 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 85~375(Min)@ IC= 0.5A • Collector-Emitter Sustaining Voltage - : VCEO(SUS)= 20V(Min) • Complement to type BD330 APPLICATIONS • Especially for battery equipped applications. 文件：246.16 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD329	文件：121.33 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 85~375(Min)@ IC= 0.5A • Collector-Emitter Sustaining Voltage - : VCEO(SUS)= 20V(Min) • Complement to type BD330 APPLICATIONS • Especially for battery equipped applications. 文件：121.33 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD329	文件：68.5 Kbytes Page：8 Pages	NPN power transistor DESCRIPTION NPN power transistor in a TO-126; SOT32 plastic package. PNP complement: BD330. FEATURES • High current (max. 3 A) • Low voltage (max. 20 V). APPLICATIONS • Especially for battery equipped applications. 文件：68.5 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BD330	文件：44.13 Kbytes Page：8 Pages	PNP power transistor DESCRIPTION PNP power transistor in a TO-126; SOT32 plastic package. NPN complement: BD329. FEATURES • High current (max. 3 A) • Low voltage (max. 20 V). APPLICATIONS • Power switching and amplification, especially in portable equipment or e.g. car radio output stages. 文件：44.13 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BD330	文件：245.99 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 85~375(Min)@ IC= -0.5A • Collector-Emitter Sustaining Voltage - : VCEO(SUS)= -20V(Min) • Complement to type BD329 APPLICATIONS • Especially for battery equipped applications. 文件：245.99 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD330	文件：85.23 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 文件：85.23 Kbytes 页数：3 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS

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产品属性

产品编号：
SMAJ78A
制造商：
Littelfuse Inc.
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
SMAJ
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
78V
电压 - 击穿（最小值）：
86.7V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
126V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
3.2A
功率 - 峰值脉冲：
400W
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AC，SMA
供应商器件封装：
DO-214AC（SMA）
描述：
TVS DIODE 78VWM 126VC DO214AC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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