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BD245C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BD245C

参数属性

BD245C 封装/外壳为TO-218-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 10A SOT93

功能描述

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

封装外壳

TO-218-3

文件大小

91.13 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

POINN

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-21 1:01:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BD245C

  • 别名:

    BD245C三极管、BD245C晶体管、BD245C晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    10A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD249C,BD257/100,TIP33C,3DD68D,

  • 最大耗散功率:

    80W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-62

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    80

BD245C规格书详情

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

● Designed for Complementary Use with the

BD246 Series

● 80 W at 25°C Case Temperature

● 10 A Continuous Collector Current

● 15 A Peak Collector Current

● Customer-Specified Selections Available

产品属性

  • 产品编号:

    BD245C-S

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    4V @ 2.5A,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    700µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    4 @ 10A,4V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-218-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-93

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 10A SOT93

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
BOURNS/伯恩斯
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