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BD244C中文资料6.0 A,100 V,PNP 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

BD244C

参数属性

BD244C 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 6A TO220-3

功能描述

6.0 A,100 V,PNP 双极功率晶体管
TRANS PNP 100V 6A TO220-3

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 14:33:00

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BD244C规格书详情

描述 Description

The 6 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in general purpose amplifier and switching applications. BD243B, BD243C (NPN); BD244B, BD244C (PNP) are complementary devices.

特性 Features

• Collector - Emitter Saturation Voltage -VCE(sat) = 1.5 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc
• Collector Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 80 Vdc (Min)BD243B, BD244B VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) - BD243C, BD244C
• High Current Gain Bandwidth ProductfT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc
• Compact TO-220 AB Package
• Pb-Free Packages are Available

简介

BD244C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD244C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BD244C

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1.5

  • IC Cont. (A)

    :6

  • VCEO Min (V)

    :100

  • VCBO (V)

    :100

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :2

  • hFE Min

    :30

  • hFE Max

    :-

  • fT Min (MHz)

    :3

  • PTM Max (W)

    :65

  • Package Type

    :TO-220-3

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