BD244B中文资料6.0 A,80 V,PNP 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书
BD244B规格书详情
描述 Description
The 6 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in general purpose amplifier and switching applications. BD243B, BD243C (NPN); BD244B, BD244C (PNP) are complementary devices.
特性 Features
• Collector - Emitter Saturation Voltage -VCE(sat) = 1.5 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc
• Collector Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 80 Vdc (Min)BD243B, BD244B VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) - BD243C, BD244C
• High Current Gain Bandwidth ProductfT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc
• Compact TO-220 AB Package
• Pb-Free Packages are Available
简介
BD244B属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD244B晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BD244B
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:1.5
- IC Cont. (A)
:6
- VCEO Min (V)
:80
- VCBO (V)
:80
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:2
- hFE Min
:30
- hFE Max
:-
- fT Min (MHz)
:3
- PTM Max (W)
:65
- Package Type
:TO-220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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