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BD243B	文件：86.39 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD244 Series ● 65 W at 25°C Case Temperature ● 6 A Continuous Collector Current ● 10 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：86.39 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
BD243B	文件：90.48 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type BD244/A/B/C APPLICATIONS ·For medium power linear and switching applications 文件：90.48 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD243B	文件：34.04 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The BD243B and BD243C are silicon Epitaxial-Base NPN transistors mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are inteded for use in medium power linear and switching applications. The complementary PNP types are BD244B and BD244C respectively. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALES 文件：34.04 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD243B	文件：128.46 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：128.46 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD243B	文件：97.31 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：97.31 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD243BG	文件：147.12 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors Complementary Silicon Plastic Power Transistors These devices are designed for use in general purpose amplifier and switching applications. Features • High Current Gain Bandwidth Product • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant* 文件：147.12 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD243B_07	文件：97.31 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：97.31 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD243B_14	文件：103.58 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：103.58 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD243BG	文件：103.58 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：103.58 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD243B	文件：300 bytes Page：1 Pages	BD243B: Power 6A 80V NPN The 6 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in general purpose amplifier and switching applications. BD243B, BD243C (NPN); BD244B, BD244C (PNP) are complementary devices. Collector - Emitter Saturation Voltage -VCE(sat) = 1.5 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc\nCollector Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 80 Vdc (Min)BD243B, BD244B VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) - BD243C, BD244C\nHigh Current Gain Bandwidth ProductfT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc\nCompact TO-220 AB Package\;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BD243B
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD599,BD609,TIP41B,3DD67C,
最大耗散功率：
65W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
80
htest：
999900
atest：
6
wtest：
65

产品属性

产品编号：
BD243B
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 1A，6A
电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 3A，4V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN 80V 6A TO220-3

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