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BD242C	文件：87.42 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD241 Series ● 40 W at 25°C Case Temperature ● 3 A Continuous Collector Current ● 5 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：87.42 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
BD242C	文件：90.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Complement to type BD241/A/B/C APPLICATIONS • For medium power linear and switching applications 文件：90.53 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD242C	文件：476.64 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTOR ● Designed for Complementary Use with the BD241 Series ● 40 W at 25°C Case Temperature ● 3 A Continuous Collector Current ● 5 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：476.64 Kbytes 页数：5 Pages	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BD242C	文件：66.44 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The BD241A, BD241B and BD241C are silicon epitaxial-base NPN transistors mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are inteded for use in medium power linear and switching applications. The complementary PNP types are BD242A,BD242B and BD242C respectively. ■ STMicroelectronics 文件：66.44 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD242C	文件：53.54 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 文件：53.54 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD242C	文件：92.1 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：92.1 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD242C	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS 文件：2.43533 Mbytes 页数：31 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BD242C	文件：1.50769 Mbytes Page：4 Pages	General Purpose Amplifiers 文件：1.50769 Mbytes 页数：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BD242C	文件：76.15 Kbytes Page：3 Pages	TO-220 - Power Transistors and Darlingtons 文件：76.15 Kbytes 页数：3 Pages	RECTRON 丽正	RECTRON
BD242C	文件：99.53 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：99.53 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BD242C
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD243C,BD581,BD591,TIP31C,CD50B,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
999900
atest：
3
wtest：
40

产品属性

产品编号：
BD242C
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 600mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
300µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 1A，4V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP 100V 3A TO220

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