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BD242C	文件：107.52 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD241 Series ● 40 W at 25°C Case Temperature ● 3 A Continuous Collector Current ● 5 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：107.52 Kbytes 页数：5 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS
BD242C	文件：27.88 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications Medium Power Linear and Switching Applications • Complement to BD241/A/B/C respectively 文件：27.88 Kbytes 页数：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD242C	文件：108.94 Kbytes Page：6 Pages	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON BD241C (NPN) BD242B (PNP) BD242C (PNP) Features • High Current Gain −Bandwidth Product • Compact TO−220 AB Package • Epoxy Meets UL94 V−0 @ 0.125 in • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant* 文件：108.94 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD242C	文件：139.68 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS 文件：139.68 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
BD242C	文件：133.93 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(3A,40W) 文件：133.93 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
BD242C	文件：139.97 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors Complementary Silicon Plastic Power Transisotors . . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications. • Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc • Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 80 Vdc (Min.) BD241B, BD242B 文件：139.97 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BD242C	文件：104.57 Kbytes Page：3 Pages	MEDIUM POWER LINEAR AND SWITCHING APPLICATIONS The BD242, A, B, C are the PNP transistors mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are the silicon epitaxial-base Power Transistors for use in medium power linear and switching applications. The NPN complements are BD241, A, B, C. Compliance to RoHS. 文件：104.57 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
BD242C	文件：191.83 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain -hFE = 25(Min)@ IC= -1.0A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -45V(Min)- BD242; -60V(Min)- BD242A -80V(Min)- BD242B; -100V(Min)- BD242C • Complement to Type BD241/A/B/C APPLICATIONS • Designed for use in general purpose power a 文件：191.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD242C	文件：90.75 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS 文件：90.75 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD242C	文件：90.75 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC 文件：90.75 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
BD242C
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD243C,BD581,BD591,TIP31C,CD50B,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
999900
atest：
3
wtest：
40

产品属性

产品编号：
BD242C
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 600mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
300µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 1A，4V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP 100V 3A TO220

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