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BD239C	文件：76.15 Kbytes Page：3 Pages	TO-220 - Power Transistors and Darlingtons 文件：76.15 Kbytes 页数：3 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
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BD239C	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN外延硅晶体管 •中等功率线性和开关应用。\n•BD240/A/B/C 的补充器件;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD239C	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN硅功率晶体管 The device is manufactured in Planar technology with “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. The PNP type is the BD240C. • NPN transistor;	ST 意法半导体	ST
BD239C	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 2A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD239C	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 2A TO220	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD239CTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 2A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BD239C
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD241C,BD243C,BD581,TIP29C,3DD62E,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
999900
atest：
2
wtest：
30

产品属性

产品编号：
BD239C
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 200mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
300µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 1A，4V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN 100V 2A TO220-3

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