100V VB 耐压 3.5A/4.5A 峰值电流 高低边 高速 栅极驱动器

该产品是能够保证向工业设备市场长期供应的产品，而且是非常适用于这些应用领域的产品。BD2320UEFJ-LA是一款100V耐压的高低边栅极驱动器，可驱动使用自举方式的外置Nch-FET。该产品内置100V耐压的自举二极管，输入逻辑电源电压支持3.3V和5.0V。作为保护功能，高边和低边都配有欠压锁定电路（UVLO）。\n\n\n\n本IC是从系列型号BD2320EFJ-LA以提高生产效率为目的变更生产线的型号，在新项目选型时，建议选择该型号，在技术规格书中的保证特性并没有差异。此外，由于文档和设计模型等也没有差异，因此除非另有说明，ROHM将公开BD2320EFJ-LAE2的数据。 • Long Time Support Product for Industrial Applications.\n• Under Voltage Lockout (UVLO) for High-Side and Low-Side Driver\n• 3.3 V and 5.0 V Interface Voltage\n• Output In-phase with Input Signal;

ROHM

罗姆

丝印：D2320U；Package：HTSOP-J8；High Frequency High-Side and Low-Side Driver

General Description This is the product guarantees long time support in industrial market. BD2320EFJ-LA and BD2320UEFJ-LA are the 100 V maximum voltage High-Side and Low-Side gate drivers which can drive external Nch-FET using the bootstrap method. The driver includes a 100 V bootstrap diode

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罗姆

包装：管件 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：100V VB 3.5A/4.5A PEAK CURRENT H

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NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

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MITSUBISHI

三菱电机

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 30V, 5.2A, RDS(ON) = 29mΩ (typ) @VGS = 10V. RDS(ON) = 45mΩ (typ) @VGS = 4.5V. ■ High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ Rugged and reliable. ■ Lead free product is acquired. ■ SOT-23 package.

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CET

华瑞

Mechanical Buzzer (DC)

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CANOPUS