首页>BD140>规格书详情

BD140数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

PDF无图
厂商型号

BD140

参数属性

BD140 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 1.5A TO126

功能描述

1.5 A,80 V,PNP 双极功率晶体管
TRANS PNP 80V 1.5A TO126

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-9 15:14:00

人工找货

BD140价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

BD140规格书详情

描述 Description

This series of plastic, medium-powerPNP transistors are designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

特性 Features

• DC Current Gain - hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc
• BD 136, 138, 140 are complementary with BD 135, 137, 139
• Pb-Free Package is Available*

简介

BD140属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD140晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BD140

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.5

  • IC Cont. (A)

    :1.5

  • VCEO Min (V)

    :80

  • VCBO (V)

    :100

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :1

  • hFE Min

    :40

  • hFE Max

    :250

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :12.5

  • Package Type

    :TO-126-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
24+
TO-126
504029
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
询价
PHI
22+
TO-126
8000
原装正品支持实单
询价
PHIL
23+
65480
询价
ST/意法半导体
23+
SOT-32-3
16900
公司只做原装,可来电咨询
询价
ST/意法半导体
24+
SOT-32-3
16900
原装现货 实单价优
询价
ST
2023+
DIP/SOP
50000
原装现货
询价
ST(意法)
24+
N/A
10776
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
询价
ST/意法
24+
TO-126
284
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
CJ(江苏长电/长晶)
2447
TO-126
105000
200个/袋一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期
询价
ST/意法
20+
TO-126
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价