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BD13510	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.5 A, 45V NPN Power Bipolar Junction Transistor This series of plastic, NPN Power Bipolar Junction Transistor transistors are designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. • Minimum Gain - hFE = 63 @ IC = 150 mA\n• Low base drive\n• BD135, BD137, BD139 are complementary with BD136, BD138, BD140\n• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD13510STU	文件：41.31 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications Features • Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching 文件：41.31 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD13510STU	文件：142.43 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively Applications • Medium Power Linear and Switching 文件：142.43 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD13510STU	文件：142.43 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：142.43 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD13510STU	文件：142.43 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：142.43 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD13510S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD13510STU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.5
IC Cont. (A)：
1.5
VCEO Min (V)：
45
VCBO (V)：
45
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1
hFE Min：
63
hFE Max：
160
PTM Max (W)：
12.5
Package Type：
TO-126-3

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