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BD131

Transistor

Comset

BD131NPN

SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTORS

SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTORS General Purpose Medium Power Applications

文件:147.68 Kbytes 页数:3 Pages

CDIL

BD131_12

SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS

文件:62.58 Kbytes 页数:2 Pages

COMSET

BD131_17

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:256.05 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BD1310G-10-T100-K

PNP SILICON TRANSISTOR

文件:136.98 Kbytes 页数:3 Pages

UTC

友顺

BD1310G-10-TM3-T

PNP SILICON TRANSISTOR

文件:136.98 Kbytes 页数:3 Pages

UTC

友顺

BD1310L-10-T100-K

PNP SILICON TRANSISTOR

文件:136.98 Kbytes 页数:3 Pages

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友顺

BD1310L-10-TM3-T

PNP SILICON TRANSISTOR

文件:136.98 Kbytes 页数:3 Pages

UTC

友顺

BD1316G-16-T160-K

PNP SILICON TRANSISTOR

文件:136.98 Kbytes 页数:3 Pages

UTC

友顺

BD1316G-16-TM3-T

PNP SILICON TRANSISTOR

文件:136.98 Kbytes 页数:3 Pages

UTC

友顺

晶体管资料

  • 型号:

    BD131

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    70V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD237,BD189,BD441,3DA96C,

  • 最大耗散功率:

    15W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    70

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    15

详细参数

  • 型号:

    BD131

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    NPN power transistor pair,BD131/BD132 3A

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