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BD129 | SILICON NPN PLANAR POWER TRANSISTORS Silicon NPN Planar Power Transistors Features: ● High reverse voltage ● Power dissipation 17.5 W Application: General at high supply voltages 文件:118.14 Kbytes 页数:2 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | |
SIPMOS Small-Signal-Transistor SIPMOS® Small-Signal-Transistor Features • N-channel • Depletion mode • dv /dt rated • Available with VGS(th) indicator on reel • Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件:206.25 Kbytes 页数:9 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | ||
SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件:236.43 Kbytes 页数:9 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | ||
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance) SIPMOS® Small-Signal Transistor ● VDS 240 V ● ID 0.2 A ● RDS(on) 20 Ω ● N channel ● Depletion mode ● High dynamic resistance ● Available grouped in VGS(th) 文件:321.36 Kbytes 页数:7 Pages | SIEMENS 西门子 | SIEMENS |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
400V
- 最大电流允许值:
0.5A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BD159,BD232,BD410,3DK205G,
- 最大耗散功率:
17.5W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-21
- vtest:
400
- htest:
999900
- atest:
0.5
- wtest:
17.5
技术参数
- 功能描述:
TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TNK/讯康 |
2450+ |
RJ45/SMD |
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DIP12 |
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RJ45Connector |
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