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BD176	文件：137.57 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION With TO-126 package ·Complement to type BD175 /177 /179 APPLICATIONS ·For medium power linear and switching applications 文件：137.57 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD176	文件：106.43 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type BD175 /177 /179 APPLICATIONS • For medium power linear and switching applications 文件：106.43 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD176	文件：40.64 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications Applications • Complement to BD 175/177/179 respectively 文件：40.64 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BD176	文件：222.63 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS BD175, 177, 179 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS BD176, 178, 180 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS Medium Power Liner and Switching Applications 文件：222.63 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
BD176	文件：191.92 Kbytes Page：2 Pages	Single Bipolar Transistor 文件：191.92 Kbytes 页数：2 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
BD176	文件：108.04 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：108.04 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD176	文件：300 bytes Page：1 Pages	BD176: PNP Epitaxial Silicon Transistor BD176 中等功率线性和开关应用。\n 分别作为 BD 175/177/179 的补充器件;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD176PNP	文件：222.63 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS BD175, 177, 179 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS BD176, 178, 180 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS Medium Power Liner and Switching Applications 文件：222.63 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
BD17610STU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 45V 3A TO126-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD1766STU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 45V 3A TO126-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BD176
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD186,BD234,BD438,3CA10C,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
45
htest：
999900
atest：
3
wtest：
30

技术参数

Compliance：
Pb-free
Status：
Active
Description：
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
3
VCEO Min (V)：
45
VCBO (V)：
45
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1.3
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
fT Min (MHz)：
3
PTM Max (W)：
30
Package Type：
TO-126-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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