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BCY59C	文件：70.75 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Transistor LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER NPN Silicon Transistor LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER 文件：70.75 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BCY59IX	文件：50.94 Kbytes Page：8 Pages	NPN switching transistors DESCRIPTION NPN switching transistor in a TO-18 metal package. PNP complements: BCY78 and BCY79. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • Switching and amplification. 文件：50.94 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BCY59VII	文件：50.94 Kbytes Page：8 Pages	NPN switching transistors DESCRIPTION NPN switching transistor in a TO-18 metal package. PNP complements: BCY78 and BCY79. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • Switching and amplification. 文件：50.94 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BCY59VIII	文件：50.94 Kbytes Page：8 Pages	NPN switching transistors DESCRIPTION NPN switching transistor in a TO-18 metal package. PNP complements: BCY78 and BCY79. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • Switching and amplification. 文件：50.94 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BCY59X	文件：50.94 Kbytes Page：8 Pages	NPN switching transistors DESCRIPTION NPN switching transistor in a TO-18 metal package. PNP complements: BCY78 and BCY79. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • Switching and amplification. 文件：50.94 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BCY59_02	文件：997.93 Kbytes Page：6 Pages	SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORxbitm 文件：997.93 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BCY59C	文件：10.37 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in A Hermetically sealed TO18 Metal Package 文件：10.37 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BCY59CSM	文件：14.88 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 文件：14.88 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BCY59DCSM	文件：15.04 Kbytes Page：1 Pages	Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed 文件：15.04 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BCY59	文件：300 bytes Page：1 Pages	npn silicon planar transistors	Infineon 英飞凌	Infineon

晶体管资料

型号：
BCY59(-7...-10)(A,B,C,D)(VIII...X)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC107,BC171,BC182,BC207,BC237,BC382,BC547,BC582,BCX59,3DG130C,
最大耗散功率：
0.39W
放大倍数：
β=630
图片代号：
D-8
vtest：
45
htest：
250000000
atest：
0.2
wtest：
0.39

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
45V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.35@250uA@10mA
Maximum Collector Emitter Voltage：
45V
Maximum DC Collector Current：
0.2A
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Power Dissipation：
340mW
Maximum Transition Frequency：
150(Min)MHz
Type：
NPN

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