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BCY59	文件：50.94 Kbytes Page：8 Pages	NPN switching transistors DESCRIPTION NPN switching transistor in a TO-18 metal package. PNP complements: BCY78 and BCY79. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • Switching and amplification. 文件：50.94 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BCY59	文件：99.84 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS NPN COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS Low Noise Audio Amplifier Input Stages & Driver Applications Complementary BCY78/79 文件：99.84 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
BCY59	文件：232.5 Kbytes Page：4 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS The BCY58 and BCY59 are NPN transistors mounted in TO-18 metal package with the collector connected to the case . They are designed for use in audio drive and low-noise input stages. Compliance to RoHS. 文件：232.5 Kbytes 页数：4 Pages	COMSET	COMSET
BCY59	文件：175.07 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION The BCY 58 and BCY 59 are NPN silicon planar epitaxial transistor. It features low saturation voltage and high gain. It is intended for use as audio frequency amplifier, magnetic core driver and general purpose industrial applications. 文件：175.07 Kbytes 页数：4 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
BCY59	文件：304.5 Kbytes Page：3 Pages	NPN switching transistors DESCRIPTION NPN switching transistor in a TO-18 metal package. PNP complements: BCY78 and BCY79. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • Switching and amplification. 文件：304.5 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BCY59	文件：133.97 Kbytes Page：4 Pages	npn silicon planar transistors NPN Silicon Planar Transistors BCY58, BCY59, and BCY65 E are epitaxial NPN silicon planar transistors in TO 18 cases (18 A 3 DIN 41876). The collector is electrically connected to the case. The transistors are particularly suitable for AF input and driver stages as well as for switching appl 文件：133.97 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCY59	文件：99.49 Kbytes Page：6 Pages	LOW NOISE AUDIO AMPLIFIERS DESCRIPTION The BCY58 and BCY59 are silicon planar epitaxial NPN transistors in Jedec TO-18 metal case. They are intended for use in audio input stages, driver stages and low-noise input stages. The complementary PNP types are respectively the BCY78 and BCY79. 文件：99.49 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BCY59	文件：997.93 Kbytes Page：6 Pages	SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORxbitm 文件：997.93 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BCY59	文件：10.36 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package 文件：10.36 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BCY59	文件：86.29 Kbytes Page：4 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 文件：86.29 Kbytes 页数：4 Pages	COMSET	COMSET

晶体管资料

型号：
BCY59(-7...-10)(A,B,C,D)(VIII...X)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC107,BC171,BC182,BC207,BC237,BC382,BC547,BC582,BCX59,3DG130C,
最大耗散功率：
0.39W
放大倍数：
β=630
图片代号：
D-8
vtest：
45
htest：
250000000
atest：
0.2
wtest：
0.39

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
45V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.35@250uA@10mA
Maximum Collector Emitter Voltage：
45V
Maximum DC Collector Current：
0.2A
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Power Dissipation：
340mW
Maximum Transition Frequency：
150(Min)MHz
Type：
NPN

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