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BCX54-16	文件：474.43 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistors FEATURES ● For AF driver and output stages ● High collector current ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types:BCX51…BCX53(PNP) 文件：474.43 Kbytes 页数：5 Pages	BWTECH	BWTECH
BCX54-16	文件：8.19667 Mbytes Page：5 Pages	NPN Switching Transistor Features ® For AF driver and output stages ® High collector current ® Low collector-emitter saturation voltage ® Complementary types: TPBCX51/TPBCX52/TPBCX53. 文件：8.19667 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
BCX54-16-BD	文件：17.4 Kbytes Page：1 Pages	SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS 文件：17.4 Kbytes 页数：1 Pages	ZETEX	ZETEX
BCX54-16-Q	文件：230.67 Kbytes Page：12 Pages	丝印：BD；Package：SOT89；45 V, 1 A NPN medium power transistors 1. General description NPN medium power transistors in a SOT89 (SC-62) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • Qualified according 文件：230.67 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCX54-16T	文件：239.42 Kbytes Page：12 Pages	丝印：B7；Package：SOT89；45 V, 1 A NPN power bipolar transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：239.42 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCX54-16T	文件：238.59 Kbytes Page：12 Pages	45 V, 1 A PNP power bipolar transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：238.59 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCX5416TA	文件：146.44 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BD；Package：SOT-89；NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT89 Features • BVCEO > 45V, 60V & 80V • Ic = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：146.44 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCX54-BA	文件：17.4 Kbytes Page：1 Pages	SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS 文件：17.4 Kbytes 页数：1 Pages	ZETEX	ZETEX
BCX54BCX56	文件：146.13 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) Features ● For AF driver and output stages ● High collector current ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BCX 51 … BCX 53 (PNP) 文件：146.13 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCX54-Q	文件：230.67 Kbytes Page：12 Pages	丝印：BA；Package：SOT89；45 V, 1 A NPN medium power transistors 1. General description NPN medium power transistors in a SOT89 (SC-62) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • Qualified according 文件：230.67 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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晶体管资料

型号：
BCX54(-6...-16)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
微型（Min）
封装形式：
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
45
htest：
999900
atest：
1
wtest：
1

技术参数

Package name：
SOT89
Size (mm)：
4.5 x 2.5 x 1.5
Polarity：
NPN
Ptot (mW)：
500
VCEO [max] (V)：
45
IC [max] (mA)：
1000
hFE [min]：
63
hFE [max]：
250
Tj [max] (°C)：
150
fT [min] (MHz)：
100
Automotive qualified：
Y

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