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BCX5310

三极管

SINEDEVICE

宇宏微

SINEDEVICE

BCX5310

PNP, 80V, 1A, SOT89

Diodes

美台半导体

BCX5310TA

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT89

Features • BVCEO > -45V, -60V & -80V • IC = -1A Continuous Collector Current • ICM = -2A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(SAT)

文件:132.04 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

BCX5310H6327XTSA1

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS

Infineon

英飞凌

BCX5310E6327HTSA1

Package:TO-243AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 80V 1A SOT89

Infineon

英飞凌

BCX5310H6327XTSA1

Package:TO-243AA;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 80V 1A SOT89

Infineon

英飞凌

BCX5310TA

Package:TO-243AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 80V 1A SOT89-3

DIODES

美台半导体

技术参数

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP):

    On Request*

  • Product Type:

    PNP

  • IC (A):

    1 A

  • ICM (A):

    1.5 A

  • PD (W):

    1 W

  • hFE (min):

    63 Min

  • hFE(@ IC):

    0.15 A

  • hFE(Min 2):

    25

  • hFE(@ IC2):

    0.5 A

  • VCE (SAT)Max (mV):

    500 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A):

    0.5/50

  • VCE (SAT)(Max.2):

    N/A mV

  • fT (MHz):

    150 MHz

  • RCE(SAT):

    N/A mΩ

  • Packages:

    SOT89

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更多BCX5310供应商 更新时间2025-12-26 14:00:00