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BCW66	文件：57.42 Kbytes Page：2 Pages	SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS 文件：57.42 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BCW66	文件：339.69 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：339.69 Kbytes 页数：2 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI
BCW66F	文件：181.85 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and re 文件：181.85 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BCW66F	文件：100.44 Kbytes Page：2 Pages	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and re 文件：100.44 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BCW66F	文件：216.45 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier FEATURES ● For general AF appilications. ● High current gain. ● Low collector-emitter saturation voltage. ● Complementary types:BCW67,BCW68(PNP) APPLICATIONS ● General purpose medium power amplifier. ● Switching appilication. 文件：216.45 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
BCW66F	文件：61.64 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • Complementary to BCW68 文件：61.64 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BCW66F	文件：134.58 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain) NPN Silicon AF Transistors ● For general AF applications ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BCW 67, BCW 68 (PNP) 文件：134.58 Kbytes 页数：6 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCW66F	文件：39.66 Kbytes Page：4 Pages	SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS ■ SILICON EPITAXIALPLANAR NPN TRANSISTORS ■ MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR APPLICATION IN SURFACE MOUNTING CIRCUITS ■ MEDIUM CURRENT AF AMPLIFICATION AND SWITCHING ■ PNP COMPLEMENT IS BCW68 文件：39.66 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BCW66F	文件：300.25 Kbytes Page：14 Pages	丝印：EQ；Package：TO-236AB；45 V, 800 mA NPN general-purpose transistor General description NPN general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complements: BCW68F/G/H Features and benefits • High current • AEC-Q101 qualified Applications • General-purpose switching and amplification 文件：300.25 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCW66F	文件：299.66 Kbytes Page：14 Pages	丝印：EQ；Package：SOT23；45 V, 800 mA NPN general-purpose transistor 1 General description NPN general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complements: BCW68F/G/H 2 Features and benefits • High current • AEC-Q101 qualified 3 Applications • General-purpose switching and amplification 文件：299.66 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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晶体管资料

型号：
BCW66(EF,EG,EH)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
微型（Min）_低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
75V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BCX19,3DK40B,
最大耗散功率：
0.35W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
75
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.35

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.7
IC Cont. (A)：
0.8
VCEO Min (V)：
45
VCBO (V)：
75
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
2
hFE Min：
160
hFE Max：
400
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BCW66供应商更新时间2024-4-11 18:15:00

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