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BCW66	文件：39.82 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS 文件：39.82 Kbytes 页数：2 Pages	ZETEX	ZETEX
BCW66	文件：50.44 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistor NPN Silicon AF Transistor • For general AF applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BCW67, BCW68 (PNP) 文件：50.44 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCW66	文件：181.85 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and re 文件：181.85 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BCW66	文件：904.94 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complementary to BCW68 BCW66 is subdivided into three groups F,G and H according to DC current gain 文件：904.94 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BCW66	文件：42.1 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Transistors Features ● For general AF applications. ● High current gain. ● Low collector-emitter saturation voltage. 文件：42.1 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BCW66	文件：39.66 Kbytes Page：4 Pages	SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS ■ SILICON EPITAXIALPLANAR NPN TRANSISTORS ■ MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR APPLICATION IN SURFACE MOUNTING CIRCUITS ■ MEDIUM CURRENT AF AMPLIFICATION AND SWITCHING ■ PNP COMPLEMENT IS BCW68 文件：39.66 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BCW66	文件：999.81 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. Features Complementary to BCW68. Applications Medium power amplifier applications. 文件：999.81 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
BCW66	文件：489.6 Kbytes Page：2 Pages	High Collector Current SOT-23 TRANSISTOR 文件：489.6 Kbytes 页数：2 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BCW66	文件：300.25 Kbytes Page：14 Pages	45 V, 800 mA NPN general-purpose transistor General description NPN general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complements: BCW68F/G/H Features and benefits • High current • AEC-Q101 qualified Applications • General-purpose switching and amplification 文件：300.25 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCW66	文件：299.66 Kbytes Page：14 Pages	45 V, 800 mA NPN general-purpose transistor 1 General description NPN general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complements: BCW68F/G/H 2 Features and benefits • High current • AEC-Q101 qualified 3 Applications • General-purpose switching and amplification 文件：299.66 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

晶体管资料

型号：
BCW66(EF,EG,EH)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
微型（Min）_低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
75V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BCX19,3DK40B,
最大耗散功率：
0.35W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
75
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.35

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.7
IC Cont. (A)：
0.8
VCEO Min (V)：
45
VCBO (V)：
75
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
2
hFE Min：
160
hFE Max：
400
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

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