首页 >BCW65C>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

BCW65CLT1G

General Purpose Transistor

General Purpose Transistor NPN Silicon Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

文件:79.4 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BCW65CLT1

General Purpose Transistor

文件:33.82 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BCW65CLT1G

General Purpose Transistor

文件:115.86 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BCW65CLT1G.

General Purpose Transistor

文件:115.86 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BCW65C

SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

Diodes

美台半导体

BCW65C

NPN General Purpose Amplifier

ONSEMI

安森美半导体

BCW65CLT1

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

BCW65CLT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    BCW65C

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon/英飞凌
2019+
SOT23
36000
原盒原包装 可BOM配套
询价
INDINEON
24+
SOT23
159519
明嘉莱只做原装正品现货
询价
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
询价
INFINEON
24+
SOT-23
348200
新进库存/原装
询价
S+M
24+
原厂封装
18000
原装现货假一罚十
询价
infineon
16+
原厂封装
10000
全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询
询价
SOT-23
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
询价
华析
12+
SOT23
2500
原装现货/特价
询价
华晰
19+
SOT-23
20000
询价
infineon technologies
23+
NA
358700
原装现货 库存特价/长期供应元器件代理经销
询价
更多BCW65C供应商 更新时间2025-10-4 16:03:00