首页>BCW61C>规格书详情

BCW61C数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

PDF无图
厂商型号

BCW61C

参数属性

BCW61C 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 32V 0.1A SOT23

功能描述

General Purpose Transistor
TRANS PNP 32V 0.1A SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-16 23:01:00

人工找货

BCW61C价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

BCW61C规格书详情

描述 Description

NPN Silicon AF Transistors

特性 Features

·High current gain
·Low collector-emitter saturation voltage
·Low noise between 30 Hz and 15 kHz
·Complementary types: BCW60, BCX70 (NPN)
·Pb-free (RoHS compliant) package
·Qualified according AEC Q103

应用 Application

·For AF input stages and driver applications

简介

BCW61C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BCW61C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BCW61C

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Polarity 

    :PNP (Single)

  • VCEO max

    :32.0V

  • Ptot max

    :330.0mW

  • hFE min max

    :250.0 460.0

  • IC max

    :100.0mA

  • IC 

    :100.0mA 

  • VCBO max

    :32.0V

  • VEBO max

    :5.0V

  • ICM max

    :200.0mA

  • ICBO max

    :20.0nA

  • fT 

    :250.0MHz 

  • VCE(sat) max

    :0.55V

  • Mounting 

    :SMT

  • IBM max

    :200.0mA

  • Package 

    :P-SOT23-3-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
24+
NA/
3000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
FAIRCHILD
2016+
SOT-23
39000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
SIEMENS
23+
NA
20000
全新原装假一赔十
询价
恩XP
24+
SOT-23
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
询价
恩XP
12+10+
SOT-23
31000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
NEXPERIA/安世
23+
SOT-23
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
询价
恩XP
24+
SOT-23
17300
一级代理/全新现货/长期供应!!
询价
Infineon/英飞凌
24+
SOT23
25000
原装正品,假一赔十!
询价
Nexperia
23+
SOT-23
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
询价
Nexperia
23+
SOT-23
28000
原装正品
询价