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BCW60FNE6393HTSA1数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BCW60FNE6393HTSA1

参数属性

BCW60FNE6393HTSA1 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 32V 0.1A SOT23

功能描述

TRANSISTOR AF SOT23
TRANS NPN 32V 0.1A SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-16 20:22:00

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BCW60FNE6393HTSA1规格书详情

简介

BCW60FNE6393HTSA1属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BCW60FNE6393HTSA1晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BCW60FNE6393HTSA1

  • 生产厂家

    :Infineon

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :100mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :32V

  • 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)

    :550mV @ 1.25mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值)

    :20nA(ICBO)

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)

    :380 @ 2mA,5V

  • 功率 - 最大值

    :330mW

  • 频率 - 跃迁

    :250MHz

  • 工作温度

    :150°C(TJ)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装

    :SOT-23-3

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