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BCW60FNE6393HTSA1数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
BCW60FNE6393HTSA1 |
参数属性 | BCW60FNE6393HTSA1 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 |
功能描述 | TRANSISTOR AF SOT23 |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-16 20:22:00 |
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BCW60FNE6393HTSA1规格书详情
简介
BCW60FNE6393HTSA1属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BCW60FNE6393HTSA1晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BCW60FNE6393HTSA1
- 生产厂家
:Infineon
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
:100mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
:32V
- 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
:550mV @ 1.25mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值)
:20nA(ICBO)
- 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
:380 @ 2mA,5V
- 功率 - 最大值
:330mW
- 频率 - 跃迁
:250MHz
- 工作温度
:150°C(TJ)
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装
:SOT-23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
0023+ |
SOT-23 |
3000 |
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询价 | ||
SOT-23 |
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SOT-23 |
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23+ |
SOT-23 |
5000 |
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INFINEON |
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SOT23 |
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Infineon Technologies |
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SOT-23-3 |
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23+ |
SOT-23-3 |
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专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
SOT-23-3 |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 |