BCW61B中文资料PNP Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
BCW61B |
| 参数属性 | BCW61B 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 |
| 功能描述 | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-24 20:00:00 |
| 人工找货 | BCW61B价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BCW61B规格书详情
特性 Features
•适用于AF驱动器级和低功率输出级
•BC817/BC818开关和放大器的补充器件
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
BCW61B属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ONSEMI制造生产的BCW61B晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BCW61B
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： PNP Epitaxial Silicon Transistor
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：Condition: IC = -50mA
- IC Cont. (A)
：0.1
- VCEO Min (V)
：32
- VCBO (V)
：32
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：0.68
- VBE(on) (V)
：0.6
- hFE Min
：Condition: IC = -2mA
- hFE Max
：Condition: IC = -2mA
- fT Min (MHz)
：-
- PTM Max (W)
：0.35
- Package Type
：SOT-23-3
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