BCW61B中文资料PNP Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
BCW61B |
参数属性 | BCW61B 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 |
功能描述 | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-10 9:50:00 |
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BCW61B规格书详情
特性 Features
•适用于AF驱动器级和低功率输出级
•BC817/BC818开关和放大器的补充器件
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
BCW61B属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BCW61B晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BCW61B
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:Pb-freeHalide free
- Status
: Active
- Description
: PNP Epitaxial Silicon Transistor
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:Condition: IC = -50mA
- IC Cont. (A)
:0.1
- VCEO Min (V)
:32
- VCBO (V)
:32
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:0.68
- VBE(on) (V)
:0.6
- hFE Min
:Condition: IC = -2mA
- hFE Max
:Condition: IC = -2mA
- fT Min (MHz)
:-
- PTM Max (W)
:0.35
- Package Type
:SOT-23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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