PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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Samsung

三星

丝印：BB；Package：SOT-23；General Purpose Transistor

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

General Purpose Transistors(PNP Silicon)

General Purpose Transistors PNP Silicon

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LRC

乐山无线电

General Purpose Transistors

General Purpose Transistors PNP Silicon

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Motorola

摩托罗拉

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.25 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -0.2 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -32 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

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WINNERJOIN

永而佳

PNP Plastic Encapsulated Transistor

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SECOS

喜可士

PNP TRANSISTOR

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WINNERJOIN

永而佳

PNP general purpose transistors

PNP transistor in a SOT23 plastic package.\n NPN complement: BCW60. • Low current (max. 100 mA)\n• Low voltage (max. 32 V).\n• AEC-Q101 qualified;

Nexperia

安世

AF 通用晶体管

NPN硅AF晶体管 • 高电流增益\n• 30 Hz 至 15 kHz 之间的低噪声\n• 无铅（符合 RoHS 标准）封装\n• 符合 AEC Q102 要求;

Infineon

英飞凌

PNP Epitaxial Silicon Transistor

•适用于AF驱动器级和低功率输出级\n•BC817/BC818开关和放大器的补充器件;

ONSEMI

安森美半导体