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BCW31分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BCW31

参数属性

BCW31 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 32V 0.5A SOT23-3

功能描述

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

27.72 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

Fairchild

中文名称

仙童半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-22 23:01:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BCW31R

  • 别名:

    BCW31三极管、BCW31晶体管、BCW31晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    微型 (Min)_低频或音频放大 (LF)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    30V

  • 最大电流允许值:

    0.05A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BCW71,3DG110E,

  • 最大耗散功率:

    0.15W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-9

  • vtest:

    30

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.05

  • wtest:

    0.15

BCW31规格书详情

NPN General Purpose Amplifier

• This device is designed for general purpose applications at collector currents to 300mA.

• Sourced from process 10.

产品属性

  • 产品编号:

    BCW31

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    110 @ 2mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    200MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 32V 0.5A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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