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BCW30LT1G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BCW30LT1G
厂商型号

BCW30LT1G

参数属性

BCW30LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3

功能描述

General Purpose Transistors
TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

245.87 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-21 15:22:00

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BCW30LT1G规格书详情

BCW30LT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的BCW30LT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

General Purpose Transistors

PNP Silicon

Features

• Pb−Free Packages are Available

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BCW30LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    215 @ 2mA,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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